Процессоры
|
Каталог товаров
В разделе позиций: 17 Показано позиций: 1-17 |
|
Тип разъема |
LGA1366 |
Тактовая частота, GHz |
2,66 |
Кэш-память второго уровня, KB |
256x4 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
8192 |
Количество ядер |
4 |
Производственная технология, nm |
45 |
Частота системной шины, MHz |
2400 (QPI) |
Мощность TDP, Вт |
130 |
Ревизия ядра |
C0(SLBCH) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
3.16 |
Кэш-память второго уровня, KB |
6144 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
2 |
Производственная технология, nm |
45 |
Частота системной шины, MHz |
1333 |
Мощность TDP, Вт |
65 |
Ревизия ядра |
C0(SLAPK) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA1366 |
Тактовая частота, GHz |
2,93 |
Кэш-память второго уровня, KB |
256x4 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
8192 |
Количество ядер |
4 |
Производственная технология, nm |
45 |
Частота системной шины, MHz |
2400 (QPI) |
Мощность TDP, Вт |
130 |
Ревизия ядра |
C0(SLBCK) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA1366 |
Тактовая частота, GHz |
3,2 |
Кэш-память второго уровня, KB |
256x4 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
8192 |
Количество ядер |
4 |
Производственная технология, nm |
45 |
Частота системной шины, MHz |
3200 (QPI) |
Мощность TDP, Вт |
130 |
Ревизия ядра |
C0(SLBCJ) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
3 |
Кэш-память второго уровня, KB |
6144 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
2 |
Производственная технология, nm |
45 |
Частота системной шины, MHz |
1333 |
Мощность TDP, Вт |
65 |
Ревизия ядра |
C0(SLAPL)/E0(SLB9J) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
2,8 |
Кэш-память второго уровня, KB |
3072 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
2 |
Производственная технология, nm |
45 |
Частота системной шины, MHz |
1066 |
Мощность TDP, Вт |
65 |
Ревизия ядра |
R0(SLB9Y) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
2,66 |
Кэш-память второго уровня, KB |
3072 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
2 |
Производственная технология, nm |
45 |
Частота системной шины, MHz |
1066 |
Мощность TDP, Вт |
65 |
Ревизия ядра |
M0(SLAPB) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
2,4 |
Кэш-память второго уровня, KB |
8192 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
4 |
Производственная технология, nm |
65 |
Частота системной шины, MHz |
1066 |
Мощность TDP, Вт |
105 (SL9UM) / 95 (SLACR) |
Ревизия ядра |
B3 (SL9UM) / G0 (SLACR) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
2,33 |
Кэш-память второго уровня, KB |
4096 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
4 |
Производственная технология, nm |
45 |
Частота системной шины, MHz |
1333 |
Мощность TDP, Вт |
95 |
Ревизия ядра |
M1(SLB5M)/R0(SLG9S) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
2,6 |
Кэш-память второго уровня, KB |
2048 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
2 |
Производственная технология, nm |
45 |
Частота системной шины, MHz |
800 |
Мощность TDP, Вт |
65 |
Ревизия ядра |
R0(SLB9U, SLGQ6) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
2,5 |
Кэш-память второго уровня, KB |
2048 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
2 |
Производственная технология, nm |
45 |
Частота системной шины, MHz |
800 |
Мощность TDP, Вт |
65 |
Ревизия ядра |
M0(SLAY7) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
2,4 |
Кэш-память второго уровня, KB |
1024 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
2 |
Производственная технология, nm |
65 |
Частота системной шины, MHz |
800 |
Мощность TDP, Вт |
65 |
Ревизия ядра |
M0(SLA8W) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
2 |
Кэш-память второго уровня, KB |
1024 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
2 |
Производственная технология, nm |
65 |
Частота системной шины, MHz |
800 |
Мощность TDP, Вт |
65 |
Ревизия ядра |
M0(SLA8Y) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
1,8 |
Кэш-память второго уровня, KB |
1024 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
2 |
Производственная технология, nm |
65 |
Частота системной шины, MHz |
800 |
Мощность TDP, Вт |
65 |
Ревизия ядра |
L2(SLA3H)/M0(SLA8Z) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
2 |
Кэш-память второго уровня, KB |
512 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
2 |
Производственная технология, nm |
65 |
Частота системной шины, MHz |
800 |
Мощность TDP, Вт |
65 |
Ревизия ядра |
M0(SLAR2) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
1,6 |
Кэш-память второго уровня, KB |
512 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
2 |
Производственная технология, nm |
65 |
Частота системной шины, MHz |
800 |
Мощность TDP, Вт |
65 |
Ревизия ядра |
M0(SLAQW) |
Tray/Box |
Box |
|
Тип разъема |
LGA775 |
Тактовая частота, GHz |
1,8 |
Кэш-память второго уровня, KB |
512 |
Кэш-память третьего уровня, KB |
- |
Количество ядер |
1 |
Производственная технология, nm |
65 |
Частота системной шины, MHz |
800 |
Мощность TDP, Вт |
35(SL9XN) |
Ревизия ядра |
A1(SL9XN) |
Tray/Box |
Box |
| |
Статистика |
| |